首先对基于TD-LTE(时分-长期演进)系统的咬尾卷积编码进行速率匹配。在深入研究3GPP(第三代合作伙伴计划)协议中咬尾卷积编码速率匹配算法的基础上, 基于TD-LTE无线综合测试系统, 提出了一种利用DSP(数字信号处理)实现的快速实现方案, 通过程序在软件CCS3.3中的运行结果, 验证了该方案及优化策略的可行性及有效性。

建立了矩形阵列高斯光束合成模型,采用数值模拟方法计算了光束间距、单元光束特性以及阵列结构等参数对非相干合成和同相位相干合成的远场峰值强度及光束质量的影响,描述了非同相位相干合成可能产生的结果,讨论了同轴与非同轴合成,相干与非相干合成的特点。结果表明:非相干和同相位相干合成时的光束质量随着单元光束的增多而变差,并且随着光束间距与单元光束束腰之比的增大而下降;而非同相位相干合成的结果较为复杂,可能产生完全相消干涉,合成光束“重心”离轴及束腰位置偏移等现象。分析认为:同轴合成可以获得最佳的光束质量,是值得采用的合成方式。此外,同轴相干合成优于非相干合成的充分条件是将单元光束之间的相位差控制在(-π/4,π/4)以内。

Based on polarization state conversion, a technique for coaxially coherent combination of laser beams is introduced. Laser beams can be coaxially coupled into one beam with high combination efficiency and perfect beam quality. A polarized laser beam combination system based on master oscillator power amplifier (MOPA) configuration is developed and the efficiencies of both unit combination and the whole system are investigated. In the experiment of combining four beams with single longitudinal mode, a combination efficiency of 85.3% is achieved. It can be further enhanced by improving the stability of experimental environment and the quality of optical and mechanical components.

描述了偏振光束相干合成的原理和过程，分析了光束参数、相位差和振幅比变化、光束重合度以及平行度等参数对合成效率的影响，讨论了实施合成的实验参数及方法。结果表明，相对于强度变化，相位差的变化对合成效率的影响是主要的；重合度误差的影响相对较小，在实验的精度内（重合度<2.5%）完全可以忽略；平行度使合成效率发生了最显著的降低。分析认为，大尺寸的光束合成可以有效减少平行度引起的合成损耗，光束直径为8 mm并通过等厚干涉判断光束重合时，受重合度影响的合成效率大于95%。此外，等强度合成是获得最大合成强度、简化实验的最佳合成方式。

负色散镜的色散补偿性能对设计和制备的精度要求都非常高, 折射率和薄膜物理厚度是其性能准确实现的必要参数。实验设计并镀制了Gires-Tournois(G-T)镜, 结合电场强度分布及薄膜的群延迟色散(GDD)、扫描电镜的测量结果, 从材料折射率、膜层厚度、敏感膜层的变化及界面粗糙度等主要因素对Gires-Tournois镜群延迟色散性能的影响进行了分析。研究表明：设计时采用的材料折射率要根据实际实验计算得到; 群延迟色散量随着总的膜层厚度和腔的厚度增加而增加; 电场强度的分布决定色散补偿能力及敏感膜层的位置, 最薄的膜层不一定是最敏感的膜层, 敏感膜层对沉积厚度控制精度要求非常高; 薄膜的界面粗糙度和不均匀性也是误差产生的重要原因。

采用电子束蒸发(EBE)和离子束溅射(IBS)制备了不同的Ta2O5薄膜,同时对电子束蒸发制备的薄膜进行了退火处理。研究了制备的Ta2O5薄膜的光学性能、激光损伤阈值(LIDT)、吸收、散射、粗糙度、微缺陷密度和杂质含量。结果表明,退火可使电子束蒸发制备的薄膜的光学性能得到改善,接近离子束溅射的薄膜的光学性能。电子束蒸发制备的薄膜的损伤阈值较低的主要原因在于吸收大,微缺陷密度和杂质含量高,而与薄膜的散射和粗糙度关系不大。退火后薄膜的吸收和微缺陷密度都明显降低,损伤阈值得到提高。退火后的薄膜损伤阈值仍然低于溅射得到的薄膜损伤阈值是因为退火并不能降低膜内的杂质含量,因此选用高纯度的蒸发膜料和减少电子束蒸发过程中的污染有可能进一步提高薄膜的损伤阈值。

Ta2O5 films are prepared on BK7 substrates with conventional electron beam evaporation deposition. The effects of SiO2 protective layers and annealing on the laser-induced damage threshold (LIDT) of the films are investigated. The results show that SiO2 protective layers exert little influence on the electric field intensity (EFI) distribution, microstructure and microdefect density but increase the absorption slightly. Annealing is effective on decreasing the microdefect density and the absorption of the films. Both SiO2 protective layers and annealing are beneficial to the damage resistance of the films and the latter is more effective to improve the LIDT. Moreover, the maximal LIDT of Ta2O5 films is achieved by the combination of SiO2 protective layers and annealing.